特許
J-GLOBAL ID：200903022943286557
薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158974
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353614
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 上ポール層と下ポール層とのギャップ深さ、及び上ポール層先端幅を精度良く微細化する。【解決手段】 本発明の薄膜磁気ヘッド10は、絶縁基板72上に、下シールド層74、MR感磁素子78を挟持したリードギャップ層80、共通ポール層12及びライトギャップ層84がこの順に積層され、ABS面76近傍を除くライトギャップ層84上に、第一段差解消層86、コイルパターン層88及び第二段差解消層90がこの順に積層され、ABS面76近傍のライトギャップ層84上及び第二段差解消層90上に上ポール層14が積層されてなるものである。そして、ABS面76から離れた位置の共通ポール層12に凹部16が設けられ、凹部16に非磁性体18が充填され、凹部16によって上ポール層14と共通ポール層12との間のギャップ深さDが規定されている。
請求項（抜粋）：
下ポール層上にライトギャップ層が積層され、ABS面近傍を除く前記ライトギャップ層上に、第一段差解消層、コイルパターン層及び第二段差解消層がこの順に積層され、少なくともABS面近傍の前記ライトギャップ層上に上ポール層が積層されてなる、薄膜磁気ヘッドにおいて、ABS面から離れた位置の前記下ポール層に凹部が設けられ、この凹部に非磁性体が充填され、この凹部によって前記上ポール層と前記下ポール層との間のギャップ深さが規定されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
FI (3件)：
G11B 5/31 A
, G11B 5/31 C
, G11B 5/31 E
