特許
J-GLOBAL ID：200903022968878505
電界放出型冷陰極およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182871
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373570
出願日： 2001年06月18日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 高エミッション効率で低電圧駆動可能な電界放出型冷陰極を提供する。【解決手段】 ガラス製の基板5上に形成された導電層4上に、絶縁層2およびゲート層1を堆積する。その後、前記ゲート層1の開口径を前記絶縁層2開口径よりも大きくなるようにエッチングする。開口部以外をマスク材7にて被覆し、噴霧等の手法によってカーボンナノチューブを堆積して、エミッタ層3を、絶縁層2の開口側面をも被覆するように、かつ、エミッタ層の任意の点から最も近接したゲート層開口端が絶縁層2によって遮蔽されるように、形成する。このとき、絶縁層2の開口側面の上部がエミッタ層(カーボンナノチューブ層)によって被覆されないようにする。
請求項（抜粋）：
第1の開口が形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、中心が前記第1の開口の中心とほぼ一致し前記第1の開口の開口径以上の開口径を有する第2の開口が形成されたゲート電極層と、前記第1の開口内に形成されたエミッタ層とを有する電界放出型冷陰極において、前記エミッタ層は前記第1の開口の底面以外に前記第1の開口の側面にも形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
