特許
J-GLOBAL ID:200903024050264434
冷陰極電界電子放出素子の製造方法及び冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 孝久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-215479
公開番号(公開出願番号):特開2001-043790
出願日: 1999年07月29日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】電子放出効率の高い電子放出電極を均一、且つ、容易に形成する。【解決手段】本発明の電界放出素子の製造方法は、(イ)支持体10上にカソード電極11を形成する工程と、(ロ)カソード電極11上を含む支持体10上に絶縁層12を形成する工程と、(ハ)絶縁層12上にゲート電極13Aを形成する工程と、(ニ)底部にカソード電極11が露出した開口部14を、少なくとも絶縁層12に形成する工程と、(ホ)導電性粒子及びバインダを含む導電性組成物から成る電子放出電極17Aを、開口部14の底部に露出したカソード電極11上に形成する工程と、(ヘ)電子放出電極17Aの表層部のバインダを除去することにより、電子放出電極17Bの表面に導電性粒子を露出させる工程、から成る。
請求項(抜粋):
(イ)支持体上にカソード電極を形成する工程と、(ロ)カソード電極上を含む支持体上に絶縁層を形成する工程と、(ハ)絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、(ニ)底部にカソード電極が露出した開口部を、少なくとも絶縁層に形成する工程と、(ホ)導電性粒子及びバインダを含む導電性組成物から成る電子放出電極を、開口部の底部に露出したカソード電極上に形成する工程と、(ヘ)電子放出電極の表層部のバインダを除去することにより、電子放出電極の表面に導電性粒子を露出させる工程、から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
IPC (3件):
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
Fターム (7件):
5C036EE02
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EG02
, 5C036EG12
, 5C036EH26
引用特許:
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