特許

J-GLOBAL ID：200903022982419238

炭化ケイ素のエピタキシー成長における、およびその結果形成される炭化ケイ素構造におけるマイクロパイプの形成を減少させる方法

発明者： ドミトリエフ,ウラディーミル ,  レンダコワ,スヴェトラーナ・ヴイ ,  イワンツォフ,ウラディーミル・エイ ,  カーター,カルヴィン・エイチ,ジュニア
出願人/特許権者： クリー・リサーチ,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-518933
公開番号（公開出願番号）：特表平10-509943
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】マイクロパイプ欠陥をほぼ除去した炭化ケイ素のエピタキシャル層を製造する方法が開示されている。この方法は、ケイ素中に炭化ケイ素を溶融した溶融物と、この溶融物中の炭化ケイ素の溶解度を上げる元素とから液相エピタキシーにより炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させるものである。前記元素の原子濃度は、溶融物中のケイ素の原子濃度より、はるかに高い。前記基板から前記エピタキシャル層に伝播するマイクロパイプ欠陥は、この基板のマイクロパイプ欠陥がエピタキシャル層ではほぼ複製されずエピタキシャル層のマイクロパイプ欠陥の数がかなり減少する厚みになるまで、適当な条件下で前記エピタキシャル層を成長させ続けることにより、ふさぐことができる。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥をほぼ免れた炭化ケイ素エピタキシャル層の形成方法であって、 種晶添加昇華技術を用いて炭化ケイ素のバルク結晶を成長させる工程と、 後記基板から後記第一のエピタキシャル層の成長部の中に伝播したマイクロパイプ欠陥を、後記第一のエピタキシャル層の溶融成長においてマイクロパイプ欠陥の複製をかなり減らすようにふさぐのに十分な厚みのものとなるまで、バルク結晶から製造された基板の上に炭化ケイ素の、第一のエピタキシャル層を、液相エピタキシー技術により形成する工程と、その後、 化学蒸着により炭化ケイ素の前記第一のエピタキシャル層の上に炭化ケイ素の第二のエピタキシャル層を形成する工程とを有する、炭素ケイ素エピタキシャル層の形成方法。

IPC (4件)：

C30B 19/02 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 19/02 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-025184
  
• 特表平3-501118
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Silicon carbide and SiC-AlN solid-solution p-n structures grown by liquid-phase epitaxy