特許
J-GLOBAL ID：200903022988184682
パワ-半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289078
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 両側で阻止するパワーデバイスを製造するための簡単かつコスト的に有利な方法を提供する。【解決手段】 ウエハに両側で阻止する複数の縦形パワーデバイスを作る方法であって、第1の伝導形式のディスク1の表面2の第1の側3に、ディスク1の表面2に第2の伝導形式の少なくとも1つのウエル10を含んでいる半導体構造を作成するステップを含んでいるワー半導体デバイスの製造方法において、a)ディスク1を第2の側4で第2の伝導形式の基板5に結合してウエハを形成するステップと、b)ウエハのパワーデバイスの縁においてディスク1にそれぞれトレンチ7を作成するステップと、c)ディスク1の第1の側3に、デバイスの逆方向阻止能力のための縁終端を含んでいる第2の伝導形式の接続範囲を9を作成し、かつ、基板5と接続範囲9との間に電気的接触が作られるように、トレンチ7の露出している表面に第2の伝導形式の第1の層6を作成するステップと、が実行される。
請求項（抜粋）：
ウエハに両側で阻止する複数の縦形パワーデバイスを作る方法であって、第1の伝導形式のディスク(1)の表面(2)の第1の側(3)に、ディスク(1)の表面(2)に第2の伝導形式の少なくとも1つのウエル(10)を含んでいる半導体構造を作成するステップを含んでいるパワー半導体デバイスの製造方法において、a)ディスク(1)を第2の側(4)で第2の伝導形式の基板(5)に結合してウエハを形成するステップと、b)ウエハのパワーデバイスの縁においてディスク(1)にそれぞれトレンチ(7)を作成するステップと、c)ディスク(1)の第1の側(3)に、デバイスの逆方向阻止能力のための縁終端を含んでいる第2の伝導形式の接続範囲(9)を作成し、かつ、基板(5)と接続範囲(9)との間に電気的接触が作られるように、トレンチ(7)の露出している表面に第2の伝導形式の第1の層(6)を作成するステップと、を含んでいることを特徴とするパワー半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/06
, H01L 29/744
, H01L 21/332
, H01L 29/78
H01L 29/06
, H01L 29/74 C
, H01L 29/74 301
, H01L 29/78 652 R
