特許
J-GLOBAL ID：200903022993555052

導波路型半導体受光素子およびその製造方法

発明者：
竹内 剛

竹内 剛 について

, 
田口 剣申

田口 剣申 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051897
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256589
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 導波路型半導体受光素子において、暗電流を低下させ信頼性を向上する。【解決手段】 基板1上に、バッファ層2、中間屈折率層3、光吸収層4、バンド不連続緩和層5、クラッド層6が積層形成され、不純物(Zn)の選択熱拡散によりp+領域7が形成されている。p+領域7はストライプ状で、実質的な導波路になる。光の入射端部にはn型の導電型である非拡散領域8が残されている。p+領域7上にはp電極(主電極)10、11が、その他の部分にn電極13が設けられている。光の入射端部には、劈開時のガイド用の溝14が形成されている。光吸収層4のうち空乏化するのはp+領域7の下部のみであり、非拡散領域である入射端部には電界が印加されず、リーク電流が発生することがないため、暗電流が低減され、素子の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
不純物の選択熱拡散によりpn接合を形成するプレーナ型の導波路型半導体受光素子において、導波路の中央部に位置する主電極の導電型と、光の入射端部の導電型とが異なっていることを特徴とする導波路型半導体受光素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM