特許
J-GLOBAL ID：200903023008938453
集束イオンビーム装置の被観察物解析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066937
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259810
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 特定箇所の状況の確認が容易で、加工領域の変化に対応できる集束イオンビーム装置の被観察物解析方法を提供することにある。【解決手段】 イオンビーム照射部3は、微動ステージ2上の半導体素子1の特定箇所を一定の間隔で断面加工および断面観察を繰り返す。すなわち、最初の断面が形成されると、微動ステージ2は、半導体素子1を傾斜させ、イオンビーム照射部3は、イオンビームにより当該断面を走査する。制御部61は、検出器4の信号に基づいて断面画像データを生成し、位置データと共に記憶部62へ格納する。その後、半導体素子1は傾斜前の位置に戻され、次の断面加工が開始される。加工および観察が全て終了すると、3次元データ表示処理部63は、3次元データ記憶部62に記憶した各断面画像データと位置データとから特定箇所を立体的に表示する。
請求項（抜粋）：
被観察物の所望の位置にイオンビームを照射して、断面加工する断面加工工程と、上記断面加工工程にて、被観察物に形成した断面をイオンビームで走査し、被観察物より放出される荷電粒子を検出して、当該断面表面の断面画像データを取得する観察工程とを有する集束イオンビーム装置の被観察物解析方法において、被観察物の特定箇所に対して、所定の間隔を空けて上記断面加工工程および観察工程を繰り返し、各断面加工工程にて断面を形成した位置を示す位置データと各観察工程における断面画像データとを蓄積する蓄積工程と、上記蓄積工程にて蓄積した各断面画像データおよび位置データから、上記特定箇所の形状を3次元表示する表示工程とを含んでいることを特徴とする集束イオンビーム装置の被観察物解析方法。
IPC (4件)：
H01J 37/252
, H01J 37/20
, H01J 37/22 502
, H01J 37/30
H01J 37/252 B
, H01J 37/20 F
, H01J 37/22 502 H
, H01J 37/30 Z
