特許

J-GLOBAL ID：200903023014908884

半導体装置およびその製造方法

発明者： 今井 清隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332154
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193075
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は低温で動作するバイポーラトランジスタに関し、カーク効果抑制のためのSIC構造を有し、かつ低温でベース中のドナーレベルによる電子のトラップを防ぎ、また、264K以下の低温において、ベースを走行する電子に加速電界を与えることにより、fT およびhFEの両方を向上させることにより高速動作するトランジスタを提供することができる。【構成】本発明のバイポーラトランジスタは、カーク効果を抑えるため、n型エミッタ領域直下のn型コレクタ領域の濃度が他のコレクタ領域の濃度より高く、また、低温でのドナーレベルによる電子トラッピングを低減するため、前記コレクタ領域上に形成されたp型ベース領域には前記コレクタ領域を形成するn型不純物および前記エミッタ領域直下のコレクタ領域を高濃度化するn型不純物が含まれない不純物分布構造を有し、かつ前記コレクタ側の濃度が前記エミッタ側の濃度よりも高い逆傾斜型不純物分布構造を有している。

請求項（抜粋）：

第1導電型エミッタ領域直下の第1導電型コレクタ領域の濃度が他のコレクタ領域の濃度より高く、前記コレクタ領域上に形成された第2導電型ベース領域には前記コレクタ領域を形成する第1導電型不純物および前記エミッタ領域直下のコレクタ領域を高濃度化する第1導電型不純物が含まれず、かつ前記コレクタ側の濃度が前記エミッタ側の濃度よりも高いことを特徴とし、264K以下の低温で動作する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低温動作半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-291249   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-315438