特許

J-GLOBAL ID：200903023039730915

自励発振型半導体レーザ素子

発明者： 庄野 昌幸 ,  本多 正治 ,  池上 隆俊 ,  別所 靖之 ,  茨木 晃 ,  吉年 慶一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109896
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321395
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 安定に自励発振する自然超格子構造を取り得る半導体材料からなる可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 可飽和光吸収層5、15の両面に、アンドープの不純物拡散防止層4、6、14、16を設けた。

請求項（抜粋）：

可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子において、前記可飽和光吸収層の両面にブロッキング層を設けたことを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094239   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-084891
  
• 特開平1-251684