特許

J-GLOBAL ID：200903023044835490

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置の製造方法

発明者： 向井 剛輝 ,  大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217466
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064476
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 量子箱を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、成長温度を第1の温度としてIII-V族化合物半導体からなる半導体下層を形成する工程と、前記半導体下層の表面上に、3次元的に量子閉じ込めを行うIII-V族化合物半導体からなる量子箱を形成する工程と、前記量子箱の表面を覆うように前記基板上の全面に、成長温度を前記第1の温度よりも低い第2の温度として、III-V族化合物半導体からなる半導体上層を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に、成長温度を第1の温度としてIII-V族化合物半導体からなる半導体下層を形成する工程と、前記半導体下層の表面上に、3次元的に量子閉じ込めを行うIII-V族化合物半導体からなる量子箱を形成する工程と、前記量子箱の表面を覆うように前記基板上の全面に、成長温度を前記第1の温度よりも低い第2の温度として、III-V族化合物半導体からなる半導体上層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体量子箱の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-041029   出願人：大同特殊鋼株式会社