半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286739
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129608
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】半導体装置において、電界効果移動度を高くして高精細表示装置へ適用させることができるようにし、加えてリーク電流を小さくさせると共に、コストを低廉化させるようにする。【構成】ガラス基板1上に、ゲート電極12と半導体層14とが間にゲート絶縁膜13を挟んだ状態で設けられ、かつ半導体層14が3つの領域14a、16、17に区分けされている。この半導体層14の中央部の活性領域14aが微結晶シリコンで形成されている。この微結晶シリコンは、アモルファス状態の中に結晶が混在する組織を有し、電界効果移動度が大きい。また、微結晶シリコンは、可視光領域の吸収係数が小さいので、この材料でTFTを作製した場合には、光照射によるリーク電流を小さくできる。更に、多結晶シリコンより薄膜を形成する際のプロセス温度を低くできる。

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極と半導体層とが間に絶縁膜を挟んだ状態で設けられた半導体装置において、該半導体層が微結晶シリコンからなり、その一部の領域が導電率を変更する不純物を含んでいるドープ領域となった半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開平2-017647
特開昭59-075669
特開昭59-175760

全件表示

前のページに戻る