特許
J-GLOBAL ID:200903023069231352
半導体、並びに、これを用いる透明電極、発光体、蛍光体、透明半導体デバイス、光触媒、および非線形光学材料
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-070637
公開番号(公開出願番号):特開2002-080222
出願日: 2001年03月13日
公開日(公表日): 2002年03月19日
要約:
【要約】【課題】 新規な透明p型伝導性半導体の提案・提供を目的としている。【解決手段】 本発明の半導体は、La1-x Ax CuOSからなる。ただし、AはMg、Ca、Sr、およびBaからなる群から選択される1種以上の元素である。xは0〜0.1の範囲にある。この半導体は、p型電気伝導性を有する。また、透明性、発光性、光触媒活性などを有する。また、本発明の半導体は、La1-x Ax CuOS1-y Sey からなる。ただし、AはMg,Ca,Sr,Ba,Zr,およびHfからなる群から選択される1種類以上の元素である。xは0〜0.1、yは0〜1の範囲にある。この半導体は、p型電気伝導性を有する。また、透明性、発光性、光触媒活性、非線形光学特性などを有する。
請求項(抜粋):
La1-x Ax CuOSからなる半導体。ただし、AはMg、Ca、Sr、およびBaからなる群から選択される1種以上の元素である。xは0〜0.1の範囲にある。
IPC (13件):
C01G 3/00
, B01J 27/04
, B01J 27/057
, B01J 35/02
, G02F 1/1343
, G02F 1/355 501
, H01L 21/285 301
, H01L 29/43
, H01L 31/04
, H01L 31/10
, H01L 33/00
, H05B 33/14
, H05B 33/28
FI (16件):
C01G 3/00
, B01J 27/04 M
, B01J 27/057 M
, B01J 35/02 J
, G02F 1/1343
, G02F 1/355 501
, H01L 21/285 301 Z
, H01L 33/00 A
, H05B 33/14 Z
, H05B 33/14 A
, H05B 33/28
, H01L 29/46 Z
, H01L 31/04 E
, H01L 31/04 W
, H01L 31/04 Y
, H01L 31/10 A
引用特許:
引用文献:
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