エッチング方法およびエッチング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川崎実夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369877
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174009
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】基板上の高誘電率材料を含む薄膜を選択的にエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】ホットプレート45によって所定の温度に加熱されたウエハWの表面に、ふっ酸蒸気発生容器43から、ふっ酸水溶液の蒸気が導かれる。ウエハWの表面には、高誘電率材料からなるゲート絶縁膜が、酸化シリコン膜やポリシリコン膜などとともに形成されている。ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハWの温度を適切に調整することによって、酸化シリコン膜およびポリシリコン膜に大きな損傷を与えることなく、ウエハW上のゲート絶縁膜を良好に選択除去してパターニングできる。

請求項（抜粋）：

基板の表面から高誘電率材料を含む薄膜をエッチング除去するエッチング方法であって、基板を所定の温度に加熱する基板加熱工程と、この基板加熱工程と並行して、上記基板の表面に薬液またはケミカルガスを含む蒸気を供給することによって、当該基板の表面の高誘電率材料を含む薄膜を選択的にエッチング除去する蒸気供給工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/302 P , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (27件)：

5F004BA19 , 5F004BB18 , 5F004BB24 , 5F004DA20 , 5F004DA25 , 5F004DB13 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110GG02 , 5F110QQ04 , 5F140AA00 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE14 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289080 出願人：松下電器産業株式会社

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