特許
J-GLOBAL ID:200903023086613781
電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-020148
公開番号(公開出願番号):特開2000-221541
出願日: 1999年01月28日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 単結晶シリコン層が貼り合わされる絶縁体層表面を平坦化すること。【解決手段】 電気光学装置201では、光透過性基板202上に凹部203が設けられ、この凹部203を埋めるように遮光層204が形成されている。そして、この光透過性基板202上に絶縁体層205及び単結晶シリコン層206が順次形成されている。単結晶シリコン層206のうち遮光層204に対応する位置がトランジスタ素子領域に形成されるようになっている。
請求項(抜粋):
光透過性基板の一方面に凹部を形成する工程と、前記凹部が形成された光透過性基板の一方面に遮光層を形成する工程と、前記凹部内に形成された遮光層を残存しつつ前記光透過性基板の一方面が露出するまで前記遮光層を除去して前記光透過性基板の一方面を平坦化する工程と、前記平坦化された光透過性基板の一方面に絶縁体層を形成する工程と、前記絶縁体層表面に単結晶シリコン層を貼り合わせる工程とを具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1335 500
FI (4件):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1335 500
Fターム (91件):
2H088EA12
, 2H088FA10
, 2H088FA11
, 2H088FA16
, 2H088FA18
, 2H088FA20
, 2H088FA24
, 2H088GA02
, 2H088HA02
, 2H088HA06
, 2H088HA08
, 2H088HA13
, 2H088HA16
, 2H088HA24
, 2H088HA28
, 2H088JA05
, 2H088JA13
, 2H088KA02
, 2H088MA16
, 2H088MA17
, 2H088MA18
, 2H090HB08Y
, 2H090HC17
, 2H090HC18
, 2H090HD03
, 2H090JA02
, 2H090JA19
, 2H090JB02
, 2H090JC17
, 2H090JD05
, 2H090JD14
, 2H090KA05
, 2H090LA04
, 2H090LA06
, 2H090LA12
, 2H090MA04
, 2H090MB01
, 2H091FA35Y
, 2H091FB08
, 2H091FC02
, 2H091FC15
, 2H091FC24
, 2H091FC26
, 2H091FC29
, 2H091FC30
, 2H091FD04
, 2H091FD06
, 2H091FD16
, 2H091FD23
, 2H091GA03
, 2H091GA06
, 2H091GA13
, 2H091HA07
, 2H091KA04
, 2H091LA03
, 2H091LA11
, 2H091LA12
, 2H091MA07
, 2H092JA24
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB58
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA03
, 2H092KB14
, 2H092KB23
, 2H092MA04
, 2H092MA07
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA23
, 2H092MA27
, 2H092MA32
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA01
, 2H092NA25
, 2H092PA02
, 2H092PA09
, 2H092PA10
, 2H092QA07
引用特許:
前のページに戻る