特許
J-GLOBAL ID：200903047995003777

SOI基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル

発明者：
平林 幸哉

平林 幸哉 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104518
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293320
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】従来、透明基板を用いた貼り合わせSOI基板では、基板裏面から光が入射すると、基板上に形成した半導体デバイスに光によるリーク電流が発生し、デバイス特性が劣化し、動作不良の原因となっていた。【解決手段】このためSOI基板の透明支持基板1と単結晶シリコン層2の間に遮光層4を形成することにより、基板裏面からの光入射を遮る構造とした。遮光層4は、貼り合わせ法SOI作製プロセスにおいて単結晶シリコン層を支持基板と貼り合わせる前に支持基板側にあらかじめ形成しておく。
請求項（抜粋）：
透明な支持基板と、前記支持基板の一方の表面に形成された遮光層と、前記遮光層の上に設けられた絶縁体層と、前記絶縁体層の上に形成された単結晶シリコン層とを備えることを特徴とするSOI基板。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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