特許
J-GLOBAL ID：200903023095242672
ニューロデバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025880
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204167
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 小型で構成の簡単なニューロデバイスを提供する。【構成】 結合マトリクス3を構成するアモルファスシリコン層は、例えば多層膜であり、ドープしたn型、p型、あるいはドープしていないi型のa-Si:Hの薄い層が-pnpn-や-pini-のように積層されている。この多層膜に数10mW/cm2の光を数10秒間照射すると、その電気伝導度が大きくなる。この状態で光の照射をなくしても、電気伝導度が減少せず、この状態が非常に長い時間継続する。従って、結合マトリクス3に対し、例えば所定のパターンの光をマスクパターンを介して照射することにより、上部配線アレイ4と下部配線アレイ2との間の配線状態を形成することができる。この結果、アモルファスシリコン層に対して常に光パターンを照射しておく必要がなく、デバイス内に発光ダイオード等の光源を設ける必要がなくなる。
請求項（抜粋）：
基板と、当該基板上に設けられた下部配線アレイと、当該下部配線アレイ上に形成され、所定の光度以上の光パターンを照射した多層膜のアモルファスシリコン層から成る結合マトリクスと、当該結合マトリクス上に設けられた透明電極から成る上部配線アレイとにより構成されることを特徴とするニューロデバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 31/0248
, H01L 49/00
H01L 27/14 C
, H01L 31/08 H
