特許
J-GLOBAL ID：200903023108952534

レジスト膜形成方法及び基板処理装置

発明者：
戸島 孝之

戸島 孝之 について

, 
小西 信夫

小西 信夫 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144552
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321493
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 表面に凹凸や段差がある基板であっても、表面に均一にレジスト膜を形成する。【解決手段】 ウエハWの表面に凹凸を形成している頂部1、底部2に対し、いずれも所望のレジスト膜厚以上の厚さのレジスト膜3を塗布する。次いでレジスト膜3が未だ乾いていない状態で、ウエハWの下面側を加熱すると共に、ウエハWの上面側を冷却し、頂部1、底部2の表面に沿って所望膜厚分の変質層3aを形成する。その後非変質層3bを除去して、変質層3aを残置することによって、頂部1、底部2の部分とも、所望の膜厚のレジスト膜を均一に形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板表面に対して所定のレジスト膜を形成する方法であって、基板表面にレジスト液を塗布する工程と、前記塗布されたレジスト液によって形成された膜の一部を変質させて変質層と非変質層とを形成する工程と、前記非変質層を除去する工程と、を有することを特徴とする、レジスト膜形成方法。
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM