特許
J-GLOBAL ID：200903023160641873
周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-194719
公開番号（公開出願番号）：特開2006-045052
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 低圧または常圧で良質の第13族金属窒化物バルク結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 周期表第13族金属合金相と窒化物を含む溶融塩相との反応を、周期表第13族金属以外の金属元素を含む副生成物を反応場から取り除きながら進行させて、周期表第13族金属窒化物結晶を成長させる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
周期表第13族の金属元素を含む液相(A)と、周期表第13族以外の金属元素を含有する窒化物を溶融塩に溶解した液相(b1)または周期表第13族の金属元素と周期表第13族以外の金属元素を含有する複合窒化物を含む固相(b2)もしくは液相(b3)のいずれかの相(B)との反応を、該反応によって生成する周期表第13族金属以外の金属元素を含む副生成物を反応場から取り除きながら進行させることによって、周期表第13族金属窒化物結晶を成長させることを特徴とする周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 9/06
, H01L 33/00
C30B29/38 D
, C30B9/06
, H01L33/00 C
4G077AA02
, 4G077BE12
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CF06
, 4G077CG06
, 4G077EB03
, 4G077EC04
, 4G077EG02
, 4G077HA01
, 4G077HA06
, 5F041CA40
, 5F041CA63
