窒化物単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-076167
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277182
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】アモノサーマル法を用い、簡易かつ経済的な工程によって、不純物の汚染を防止し、大きな塊状単結晶が収率良く得られる周期表13族元素窒化物の塊状単結晶製造方法を提供。【解決手段】ニッケル及びクロムを含有する合金から構成された反応容器内で、周期表13族元素のうち少なくとも1つの元素を含む周期表13族元素の多結晶窒化物を原料とし、窒素原子を有する鉱化剤を含有させた溶媒とともに該高温高圧の反応容器の原料充填部に供給し、反応容器内の育成部に設置した種結晶との間に温度勾配を設けること、アモノサーマル的に結晶成長を行う。

請求項（抜粋）：

周期表13族元素の窒化物の塊状単結晶を製造する方法において、ニッケル及びクロムを含有する合金から構成された反応容器内で、周期表13族元素の多結晶窒化物を原料として該反応容器の原料充填部に供給し、種結晶を育成部に設置し、アモノサーマル的に結晶成長を行うことを特徴とする周期表13族元素の窒化物の塊状単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 7/10 , B01J 3/00 , B01J 3/04 , C30B 29/38

FI (5件)：

C30B 7/10 , B01J 3/00 A , B01J 3/04 A , C30B 29/38 C , C30B 29/38 D

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CB04 , 4G077EG25 , 4G077EJ09 , 4G077KA01 , 4G077KA03 , 4G077KA11 , 4G077KA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平1-272737

引用文献：

審査官引用 (1件)

AMMONO method of GaN and AlN production

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