特許

J-GLOBAL ID：200903023166833162

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 池谷 剛 ,  高田 和弘
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229516
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097450
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】1B族、3B族、及び6B族元素を含む膜を熱処理により合金化して光吸収膜とする時、組成が均一分布した合金膜が得られるようにする。【構成】ガラス基板1の上にスパッタ法でMo膜2を形成する。この上にCu-In/Se分散めっき膜3形成する。真空熱処理炉内で室温から30°C/分の速度で157〜190°Cに上げ、この温度に約30〜60分保持してInをCu中に拡散させてCuとInとが膜中に均一に分布するようにする。その後、Seを含むガスを導入し、200〜250°Cで約30〜60分、次に400〜450°Cで約2〜4時間保持して合金化処理を行い、CuInSe2 膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に導電膜を有する基板の上に周期律表の1B族、3B族、及び6B族の元素を含む膜を形成する工程と、前記膜を6B族元素を含むガス雰囲気中で熱処理して1B族-3B族-6B族元素の合金膜に転換する合金化熱処理工程とを有する薄膜太陽電池の製造方法において、前記合金化熱処理を行う前に前記膜に含まれる1B族-3B族元素の均一分布化熱処理を行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 三元化合物半導体薄膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-091828   出願人：同和鉱業株式会社
• 特開平4-212430