半導体集積装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-148049
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347476
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】半導体集積装置内の配線に生じる応力の集中を緩和して、その電気的な信頼性を高く維持することのできる半導体集積装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】CCDイメージセンサの形成された半導体チップ100と同半導体チップ100と図示しないガラス基板とを貼り合せるエポキシ樹脂310との上には、シリコン酸化膜120が形成されている。そして、このシリコン酸化膜120上には、外部配線410を介して、外部端子と半導体チップ100に形成された上記CCDイメージセンサとのコンタクトをとる内部パッド140が形成されている。この内部パッド140には、同内部パッド140の電極幅よりも線幅の細い内部配線150が接続されている。この内部パッド140は、半導体チップ100の上方に迫り出すように形成されている。

請求項（抜粋）：

一方の主面上に複数の外部端子が形成される絶縁基板と、一方の主面に複数の半導体素子が形成された半導体チップと、前記半導体チップの側面を被いつつ前記絶縁基板の他方の主面と前記半導体チップの他方の主面との間に充填される樹脂と、前記樹脂の前記半導体チップの側面との接触面と対向する面を迂回しつつ、前記絶縁基板の複数の外部端子と接続される外部配線と、前記樹脂の前記半導体チップの一方の主面と同一面側に形成され、前記外部配線と接続される内部端子と、を備え、前記内部端子は、同内部端子の幅よりも狭い線幅を有する内部配線と接続されると共に、前記半導体チップの側面と前記樹脂との界面を被うように形成されることを特徴とする半導体集積装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/60 301 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 23/12 501 W , H01L 21/60 301 P , H01L 27/14 D

Fターム (11件)：

4M118AA10 , 4M118BA12 , 4M118BA13 , 4M118FA06 , 4M118HA12 , 4M118HA26 , 4M118HA29 , 4M118HA31 , 5F044EE06 , 5F044EE21 , 5F044QQ06

引用特許：

審査官引用 (1件)

集積回路デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-530942 出願人：シェルケースリミティド

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