特許

J-GLOBAL ID：200903023280401760

素子分離のための半導体装置およびその製造方法

発明者： 小森 重樹 ,  塚本 克博
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259270
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 分離能力に優れかつ信頼性の高い素子分離構造を備えた半導体装置を提供する。【構成】 表面から所定の深さの位置において深さ方向の濃度分布が最大となる第1導電型の不純物領域1aを有する半導体基板1と、この第1導電型の不純物領域1a内の所定の深さにかけて形成された溝6と、この溝6内に酸化膜11を介して底部のみが半導体基板1の第1導電型の不純物領域1aと選択された第1導電型の不純物拡散領域8aを有している。この半導体装置により、分離領域の底部のほぼ一様に実質的にp+ の高濃度領域が形成されるため分離しきい値に影響を与えない。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記主表面から所定の深さの位置に、前記主表面に対して実質的に平行な最大不純物濃度の帯を有し、前記帯と前記主表面の間に、前記帯よりも低濃度の不純物領域を有する第1導電型の不純物領域と、前記主表面から前記帯にかけて、側壁を有する分離溝と、前記分離溝内を満たす分離材料と、を備えた素子分離のための半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-303060   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社