特許
J-GLOBAL ID：200903023282223800

窒素含有半導体物質のデバイス

発明者：
ヘニング リーヒエルト

ヘニング リーヒエルト について

, 
ウヴエ シユトラウス

ウヴエ シユトラウス について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096411
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041230
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 インジウム含有量の高い活性層とインジウム含有緩衝層を含みながら活性層の格子構造内の転位が許容限度内であり、それらの内部で格子定数が主としてこの緩衝層の格子定数により決定されるIII-V族化合物半導体物質から成る窒化物ヘテロ構造を有するデバイスを提供する。【解決手段】 活性層とこれに隣接する半導体物質との間でエネルギーギャップにジョグが存在し、この積層を基板(例えばサファイア又はSiC)上又は半導体(例えばGaN、AlGaN又はAlN)層上に著しく異なる格子定数を有する物質から成長させる。
請求項（抜粋）：
基板及び窒化物ヘテロ構造を有するデバイスにおいて、a)放射線の形成又はキャリアの制御のために備えられたIII-V族化合物半導体物質から成る活性層を有し、b)この活性層中の周期系のIII族の成分が少なくとも20%のインジウム原子分量を含みまた周期系のV族の成分が窒素を含んでおり、c)この基板と活性層との間にIII-V族化合物半導体物質から成る緩衝層を含んでおり、d)この緩衝層中の周期系のIII族の成分がインジウムを含み、また周期系のV族の成分が窒素を含んでおり、e)活性層の半導体物質の組成が基板に面する側ではこの活性層に接している半導体の組成が異なるため、これらの半導体物質の界面にエネルギーギャップが生じ、f)活性層がエピタキシャル成長に典型的な温度で緩衝層の格子定数に相応する格子定数を有することを特徴とする窒素含有半導体物質のデバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 H
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
  • 量子井戸型半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社

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