特許

J-GLOBAL ID：200903023282898913

放射線を発する半導体デバイス、その製造方法及び放射線を発する光学素子

発明者： ドミニク アイゼルト ,  フォルカー ヘルレ ,  フランク キューン ,  マンフレート ムントブロート ,  ウーヴェ シュトラウス ,  ウルリヒ ツェーンダー
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-560457
公開番号（公開出願番号）：特表2003-523635
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2003年08月05日
要約：

【要約】放射線を発する活性層(10)を有する多層構造体(100)と、多層構造体(100)に電流供給するための電気コンタクト(30,40)と、放射線透過性ウィンドウ層(20)とを備えた放射線を発する半導体デバイス。このウィンドウ層は半導体デバイスの主要な放射方向に向かって多層構造体(100)の反対側にだけ配置されており、少なくとも1つの側壁を有し、この側壁は多層構造体に対して垂直方向にある半導体ボディの中心軸に対して傾斜して、凹面状又は段階状に延びている第1の側壁部(20a)を有する。多層構造体から背面側への延長方法で見て、この側壁は多層構造体に対して垂直方向、つまり中心軸に対して水平に延びる第2の側壁部(20b)に移行し、かつこの第2の側壁部(20b)を有するウィンドウ層(20)の部分は半導体デバイス用の取付ソケットを形成する。この第1の及び第2の側壁部は特に有利に付形エッジを備えたカッティングブレードを用いて製造される。有利な光学素子の場合に、この半導体デバイスはウィンドウ層を下側にしてリフレクタウェル内に取り付けられている。

請求項（抜粋）：

放射線を発する半導体デバイスが、放射線を発する活性層(10)を有する多層構造体(100)と、前記の多層構造体(100)内に電流供給するための電気コンタクト(30,40)と、放射線を透過するウィンドウ層(20)とを備え、このウィンドウ層(20)は、 多層構造体(100)の、半導体デバイスの主要な放射方向とは反対側にだけ配置されており、 少なくとも1つの側壁を有し、この側壁は多層構造体に対して垂直方向にある半導体ボディの中心軸に対して傾斜して延びるか、凹面状に延びているか又は段階的に延びている第1の側壁部(20a)を有し、この第1の側壁部は多層構造体から背面側までのさらなる延長方向で見て、この多層構造体に対して垂直方向、つまり中心軸に対して平行に延びる第2の側壁部(20b)に移行し、かつ 第2の側壁部(20b)を有するウィンドウ層(20)の部分は半導体デバイス用の取付ソケットを形成する、放射線を発する半導体デバイス。

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CB36 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA36

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭59-004088
  
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018005   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開平3-035568
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-263572   出願人：サンケン電気株式会社
• 炭化ケイ素発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148836   出願人：三洋電機株式会社