特許
J-GLOBAL ID：200903040742335043

半導体発光素子

発明者：
大山 利彦

大山 利彦 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263572
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093135
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子において十分なレベルの光出力を得ることができなかった。【解決手段】 P型半導体領域11とN型半導体領域12とアノード電極15とカソード電極17とから成る発光素子において、N型半導体領域12に傾斜面19を設け、この傾斜面19を全反射しにくいような粗面とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体領域と、PN接合を形成するように前記第1の半導体領域に隣接している第2導電型の第2の半導体領域とを有する半導体基体と、前記半導体基体の一方の主面において前記第1の半導体領域に接続された第1の電極と、前記半導体基体の他方の主面において前記第2の半導体領域に接続された第2の電極とを備え、前記一方の主面側に光を取り出すように構成され、且つ前記PN接合が前記半導体基体の側面に露出するように形成された半導体発光素子において、前記第2の半導体領域の側面の少なくとも一部が前記PN接合から前記他方の主面に向って末広がりの傾斜面に形成されており、前記第1の半導体領域の側面が前記PN接合から放射された光を内側に反射させることができるような鏡面に形成され、前記第2の半導体領域の前記末広がりの傾斜面が光を外部に放射することができるように前記第1の半導体領域の側面よりも粗い粗面に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050033   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
  • 特開昭58-034985
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351646   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (2件)

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