特許
J-GLOBAL ID：200903023286000822
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206363
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054742
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 素子特性の均一化をはかることができ、容易に集積化を達成することができる半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体基板11上に形成されたゲート絶縁膜12と、半導体基板11の表面に電導領域18を誘起するためのゲート電極13と、半導体基板11の表面に電導領域18と隣接する電導領域19を誘起するためのゲート電極14と、電導領域18が誘起される領域に隣接して形成された不純物領域16と、電導領域19が誘起される領域に隣接して形成された不純物領域17とを有し、誘起された電導領域18及び19によってエサキ・ダイオードが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成され前記半導体基板の表面に第1導電型の少なくとも一つの第1の電導領域を誘起するための少なくとも一つの第1の電極と、前記絶縁膜上に形成され前記半導体基板の表面に少なくとも一つの前記第1の電導領域と隣接する第2導電型の少なくとも一つの第2の電導領域を誘起するための少なくとも一つの第2の電極と、少なくとも一つの前記第1の電導領域が誘起される領域に隣接して形成された第1導電型の第1の不純物領域と、少なくとも一つの前記第2の電導領域が誘起される領域に隣接して形成された第2導電型の第2の不純物領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/66
, H01L 29/06
, H01L 29/88
H01L 29/66
, H01L 29/06
, H01L 29/88 Z
