特許

J-GLOBAL ID：200903023294983339

半導体基板の洗浄方法

発明者： 石崎 逸郎 ,  深澤 雄二
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284790
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148459
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板面の洗浄が短時間のうちに確実に行えると共に多量の洗浄液を必要としない半導体基板の洗浄方法を提供する。【構成】 回転する半導体基板13の上面を回転半径方向に移動するノズル17から噴射された洗浄液sによって洗浄する際、半導体基板17上面が洗浄液sの噴射を受けている時間が、ノズル17の各移動位置に応じ半導体基板13の回転数を変化させて略一定となるようになっており、ノズル17から噴射される洗浄液sが直接半導体基板13上面に当たり洗浄している時間が回転中心近傍から周縁部に至るまで略等しく、余分な洗浄を回避することができて洗浄時間の無駄がなくなり、半導体基板13の表面の洗浄が回転中心近傍から周縁部まで短時間のうちに確実に行え、また余分な洗浄を行うことなく短時間の内に洗浄が終わるため、多量の洗浄液sを必要としないで済むことになる。

請求項（抜粋）：

回転支持された半導体基板の表面に、回転半径方向に移動するノズルから洗浄液を噴射させて該表面を洗浄する半導体基板の洗浄方法において、前記半導体基板の表面が前記洗浄液の噴射を受けている時間が、前記ノズルの各移動位置で略一定となるようにしたことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 平面状基板の洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097205   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭56-125842
  
• 特開昭64-076724
  
• 特開昭54-125981