特許
J-GLOBAL ID：200903023357864327
炭化ケイ素膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264755
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118854
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 基材面内および基板間での膜厚のばらつきが小さく、かつ膜質の均一性および膜の平坦性が更に向上した炭化ケイ素膜を得ることができる炭化ケイ素膜の形成方法を提供する。【構成】 ケイ素源ガスと炭素源ガスとを用いて、Si原子またはC原子を含有する基材S上に化学反応により炭化ケイ素を成長させることで所定膜厚の炭化ケイ素膜を形成するにあたり、水素ガスが実質的に存在しない状態下で前記ケイ素源ガスを熱分解するとともに、この熱分解により生じたケイ素化合物を前記基材S上の所定の成長面に吸着させる第1の工程と、この第1の工程で前記成長面に吸着した前記ケイ素化合物を前記炭素源ガスにより炭化して炭化ケイ素を生成させる第2の工程とを、基材Sを加熱しつつ減圧下で交互に1回以上繰り返す。
請求項（抜粋）：
ケイ素源ガスと炭素源ガスとを用いて、Si原子またはC原子を含有する基材上に化学反応により炭化ケイ素を成長させることで所定膜厚の炭化ケイ素膜を形成するにあたり、水素ガスが実質的に存在しない状態下で前記ケイ素源ガスを熱分解するとともに、この熱分解により生じたケイ素化合物を前記基材上の所定の成長面に吸着させる第1の工程と、この第1の工程で前記成長面に吸着した前記ケイ素化合物を前記炭素源ガスにより炭化して炭化ケイ素を生成させる第2の工程とを、前記基材を加熱しつつ減圧下で交互に1回以上繰り返すことを特徴とする炭化ケイ素膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/32
, C23C 16/44
, H01L 21/314
