特許
J-GLOBAL ID：200903023403903421

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
金子 義男

金子 義男 について

, 
田村 佳久

田村 佳久 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090461
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289817
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】IPを含む半導体集積回路装置を比較的短期間で製造することができ、製造価格も安価であり、かつ高速動作が実現できる。【解決手段】複数のトランジスタ14を含み、これら複数のトランジスタ相互間で配線が施されることで任意の回路が構成されるゲートアレイ部12と、複数のトランジスタとこれら複数のトランジスタ相互を接続する複数の配線とを含み、所定の機能を有する少なくとも1つのIP(Intellectual Property)部13とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板に形成された複数のトランジスタと、少なくともこれら各トランジスタのソース、ドレイン及びゲートに接続され、上記基板表面に対して垂直方向に延長された複数の第1の配線とを含み、これら複数の第1の配線同士を接続する複数の第2の配線が形成されることで任意の機能を持つ回路が形成されるゲートアレイ部と、上記半導体基板に形成された複数の半導体素子と、これら複数の半導体素子同士を接続する複数の第3の配線とを含み、所定の機能を予め有する少なくとも1つのIP(Intellectual Property)部とを具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 27/118 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 21/82 M ,  H01L 21/82 S ,  H01L 27/04 U
Fターム (27件)：
5F038CA04 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038CD20 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA03 ,  5F064AA20 ,  5F064BB09 ,  5F064BB14 ,  5F064BB40 ,  5F064CC06 ,  5F064DD02 ,  5F064DD13 ,  5F064EE02 ,  5F064EE08 ,  5F064EE09 ,  5F064EE16 ,  5F064EE22 ,  5F064EE33 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開昭61-015346
  • 半導体集積回路装置及びその設計方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-209308   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 配線処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-082848   出願人：甲府日本電気株式会社
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