特許

J-GLOBAL ID：200903023404435677

半導体レーザ素子

発明者： 石坂 祥司 ,  室 清文 ,  藤本 毅 ,  山田 義和
出願人/特許権者： 三井石油化学工業株式会社
代理人 (1件)： 遠山 勉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037986
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070162
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 弱導波レーザ、LOC構造レーザが有していた導波モードの制御デバイス設計上のジレンマを克服し、高出力化、放射ビームの低分散化、導波モードの改善等を図ると同時に短波長での出力増加、特性温度の向上を図る。【構成】 素子面から垂直方向に形成された活性層の断面両外方にキャリアブロック層を設け、この活性層は一層または複数層の量子井戸層がバリア層および/またはサイドバリア層に挟まれた構造とし、前記キャリアブロック層の断面両外方に導波層を設け、この導波層はクラッド層で挟んだ構造とし、前記量子井戸層の組成は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>As(0≦x≦0.2)とし、前記キャリアブロック層の組成は(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>P(0≦y<0.3,0.20≦Z≦0.83)とした。

請求項（抜粋）：

素子面から垂直方向に形成された活性層の断面両外方にキャリアブロック層が設けられ、前記活性層は、サイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層、またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記キャリアブロック層の断面両外方に導波層が設けられ、前記導波層の両外方にクラッド層が設けられ、前記量子井戸層の組成は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>As(0≦x≦0.2)、前記キャリアブロック層の組成は、(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>P(0≦y<0.3,0.20≦Z≦0.83)であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-180684
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-332231   出願人：シャープ株式会社