半導体装置の製造方法およびレジスト処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112602
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303107
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】プリベーク処理およびPEB処理のための複数の加熱処理部を備えたレジスト処理装置において、最小限の加熱処理部を使いながら、一のレシピの終了後、次のレシピを待ち時間なく流すことにより半導体装置の製造スループットを最大にする。【解決手段】複数の加熱処理部の中から、第1のレシピに必要な数の第1群の加熱処理部を選択し、第1のレシピを実行するとともに、前記複数の加熱処理部のうち、第2のレシピに必要な数の第2群の加熱処理部を選択し、前記第2群の加熱処理部を使って、前記第2のレシピを実行する。その際、前記第2の選択工程で、前記第2群の加熱処理部が、前記第1のレシピが完了した時点において、前記第2のレシピに必要な温度条件に設定されているように、選択された前記第2群の加熱処理部を駆動する。

請求項（抜粋）：

複数の加熱処理部を有するレジスト処理装置内で複数のレシピを実行する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記複数の加熱処理部の中から、第1のレシピに必要な数の第1群の加熱処理部を選択する第1の選択工程と;前記第1群の加熱処理部を使って前記第1のレシピを実行する工程と;前記複数の加熱処理部のうち、第2のレシピに必要な数の第2群の加熱処理部を選択する第2の選択工程と;前記第2群の加熱処理部を使って、前記第2のレシピを実行する工程とを含み、前記第2の選択工程は、前記第2群の加熱処理部が、前記第1のレシピが完了した時点において、前記第2のレシピに必要な温度条件に設定されているように、選択された前記第2群の加熱処理部を駆動する駆動工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 566 , H01L 21/30 568

引用特許：

出願人引用 (3件)

基板処理管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227639 出願人：富士通株式会社
板状体の搬送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-110421 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開平4-305919

審査官引用 (1件)

基板処理管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227639 出願人：富士通株式会社

前のページに戻る