特許
J-GLOBAL ID：200903023414570327

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
河合 賢

河合 賢 について

, 
圓山 敬史

圓山 敬史 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-106210
公開番号（公開出願番号）：特開2005-293697
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 従来の不揮発性半導体記憶装置では、書込み/書込みベリファイ動作の所要時間の短縮及び消費電力の削減が困難であり、所要時間を短縮するためには、昇圧回路の電流供給能力を大きくする必要があるため、消費電力が増大してしまうという問題があった。【解決手段】 高昇圧出力電圧VPPHとレギュレータ出力電圧VROの二種類の電圧を入力として、スイッチ制御信号に応じて、この二種類の電圧から1つを選択して出力する単位スイッチN(自然数)個から構成される電圧切換スイッチ回路17を備えることにより、消費電力を削減しつつ、書込み/書込みベリファイ動作の所要時間を短縮することができる高性能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルがマトリクス状に配置され、複数のセクタに分割されるメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイの各前記セクタに対応するように設けられ、外部から入力してくるアドレス信号に基づいて、対応する前記セクタに含まれるメモリセルを選択する複数のロウデコード回路と、 複数種類の電圧の供給を受けており、複数の前記ロウデコード回路に対応するように設けられ、当該複数種類の電圧のうちいずれかの電圧を、対応する前記ロウデコード回路に対してそれぞれが独立に切換えて出力できる複数のスイッチとを備え、 各前記ロウデコード回路は、対応する前記スイッチから出力されてくる電圧を用いて前記メモリセルを選択することを特徴とする、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C16/06 ,  G11C16/02
FI (4件)：
G11C17/00 633D ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 632A ,  G11C17/00 633C
Fターム (7件)：
5B125BA01 ,  5B125CA01 ,  5B125CA04 ,  5B125DB08 ,  5B125EG04 ,  5B125EG18 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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