特許

J-GLOBAL ID：200903023431334033

半導体レーザ

発明者： 足立 秀人 ,  高森 晃 ,  木戸口 勲 ,  福久 敏哉 ,  萬濃 正也 ,  熊渕 康仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199792
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、活性層104と、活性層104を挟むn型クラッド層103、p型クラッド層105a〜105cを備えた半導体レーザである。さらに、p型クラッド層105a〜105cの間には、可飽和吸収層106とエッチングストッパ層100とが設けられている。端面の反射率は、約50%に設定されている。これにより、端面での反射率を制御してミラー損失を最適化することで、しきい値電流を小さくすることができるとともに、安定な動作制御を実現できる自励発振レーザが得られる。

請求項（抜粋）：

少なくとも量子井戸層を有する活性層と、該活性層を挟むクラッド構造と、を備えた半導体レーザであって、該クラッド構造は、可飽和吸収層を含んでおり、該可飽和吸収層のエネルギーギャップが、該活性層の該量子井戸層の基底準位間のエネルギーギャップよりも、約30meVから約200meVだけ小さく、それぞれの端面の反射率が約40%〜約90%である、半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251983   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-206984