特許

J-GLOBAL ID：200903023447718982

成膜方法及び成膜装置

発明者： 徳増 徳 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164405
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031815
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、熱CVD法によりシリコン含有絶縁膜を形成する成膜方法に関し、安全性の高い反応ガスを用いて低温で成膜が可能であり、かつ成膜条件を容易に設定でき、パーティクルの発生を抑制して、緻密で、ステップカバレージの良い絶縁膜を形成することができ、被堆積基板の大型化への対応を容易にする。【構成】Si-H結合を有する有機化合物とオゾンを含む混合ガスを常圧下で熱的に反応させてシリコン含有絶縁膜11を被堆積基板21上に形成する。

請求項（抜粋）：

Si-H結合を有する有機化合物とオゾンを含む混合ガスを常圧下で熱的に反応させてシリコン含有絶縁膜を被堆積基板上に形成する成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン酸化膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269390   出願人：東亞合成化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068842   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平2-125875
  
• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149676   出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社