特許
J-GLOBAL ID：200903023471324847

半導体集積回路

発明者：
内木 英喜

内木 英喜 について

, 
近藤 晴房

近藤 晴房 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314398
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 入力信号の入力コモンレベルが変動しても入力信号に応答してレベル変化する信号を出力することのできる半導体集積回路を得る。【解決手段】 半導体集積回路は、差動増幅器12、入力信号A、Bのコモンレベルを検知するコモンレベル検知回路14、および検知されたコモンレベルに基づき、差動増幅器12の定電流源となるMOSトランジスタのゲート端子に与えるべきバイアス電圧を発生するバイアス発生回路16を備える。
請求項（抜粋）：
第1のノードに接続されるゲート端子を有する第1のMOSトランジスタと、第2のノードに接続されるゲート端子を有する第2のMOSトランジスタと、前記第1および第2のMOSトランジスタのソース端子に接続されるドレイン端子を有する第3のMOSトランジスタとを含む差動増幅器、前記第1および第2のノードのそれぞれ2つの電圧の中間の電圧レベルを検知するレベル検知回路、および、前記レベル検知回路で検知された電圧レベルに基づき、前記第3のMOSトランジスタのゲート電極に与えるべきバイアス電圧を発生するバイアス発生回路を備えた、半導体集積回路。
IPC (2件)：
H03K 19/0175 ,  H03F 3/45
FI (2件)：
H03F 3/45 Z ,  H03K 19/00 101 K
Fターム (35件)：
5J056AA01 ,  5J056AA37 ,  5J056BB37 ,  5J056BB58 ,  5J056CC00 ,  5J056CC10 ,  5J056DD00 ,  5J056DD13 ,  5J056DD51 ,  5J056DD55 ,  5J056EE06 ,  5J056FF09 ,  5J056GG09 ,  5J066AA01 ,  5J066AA12 ,  5J066AA24 ,  5J066CA13 ,  5J066CA53 ,  5J066CA81 ,  5J066FA09 ,  5J066FA10 ,  5J066HA10 ,  5J066HA17 ,  5J066HA25 ,  5J066HA29 ,  5J066KA01 ,  5J066KA02 ,  5J066KA09 ,  5J066KA12 ,  5J066KA17 ,  5J066MA14 ,  5J066ND22 ,  5J066ND24 ,  5J066PD02 ,  5J066TA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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