特許

J-GLOBAL ID：200903023478963691

半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法及びSi半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法

発明者： 二川 清
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208102
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050784
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 配線系の高感度な解析が可能な半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法及びSi半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法を提供する。【解決手段】 照射工率1mW以上のレーザビーム104を被観測領域に照射し、電源電流112の変化を検出する。寄生MIM構造箇所である寄生絶縁膜107にレーザビーム104が照射されると、寄生絶縁膜107に流れる電流112の温度特性により、電流112が増加するため、寄生MIM構造の箇所が検出できる。また、波長1.0μm以上のレーザビーム108をチップ裏面から被観測領域に照射し、電源電流の変化を検出する。波長1.0μm以上の光はSi基板110中を透過するので、レーザビームは配線部に到達する。寄生MIM構造である寄生絶縁膜107の箇所にビームが照射されると電流が増加するため、寄生MIM構造の箇所が検出できる。

請求項（抜粋）：

照射工率1mW以上のレーザビームを半導体デバイスの被観測領域にチップの表面から照射し、前記レーザビームの照射による温度上昇に伴って、前記半導体デバイスチップ上の寄生金属/絶縁膜/金属構造箇所である寄生MIM構造箇所に、その電流電圧特性の温度依存性により現れる電流の増加を、前記半導体デバイスの所定の端子に現われる電流の増加として検出し、前記被観測領域内の前記寄生MIM構造箇所を検出することを特徴とする半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/302 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/66 S ,  G01R 31/28 L ,  H01L 21/88 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路内部相互配線の検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-313320   出願人：日本電気株式会社