特許

J-GLOBAL ID：200903023489322426

電子源およびその製造方法

発明者： 竹川 宜志 ,  相澤 浩一 ,  菰田 卓哉 ,  幡井 崇
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-083927
公開番号（公開出願番号）：特開2003-281992
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】表面電極の抵抗値の増加を抑制しつつ電子放出効率の高効率化を図れる電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】電子源10は、基板1の一表面側に下部電極2が形成され、下部電極2上に半導体層としてノンドープの多結晶シリコン層3が形成され、多結晶シリコン層3上に電子通過層6が形成され、電子通過層6上に表面電極7が形成されている。表面電極7は、電子通過層6に積層された金属間化合物からなる金属間化合物層7aと金属間化合物層7aに積層された貴金属層7bとの積層膜からなり、当該積層膜の厚さを局所的に薄くする多数の凹部8が当該積層膜の表面に形成されている。

請求項（抜粋）：

下部電極と、表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子が通過する電子通過層とを備え、電子通過層を通過した電子が表面電極を通して放出される電子源であって、表面電極は、電子通過層に積層された金属間化合物層と、金属間化合物層に積層された貴金属層との積層膜からなり、当該積層膜の厚さを局所的に薄くする多数の凹部が当該積層膜の表面に形成されてなることを特徴とする電子源。

IPC (2件)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

H01J 9/02 M ,  H01J 1/30 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-121227
  
• 電界放射型電子源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-226059   出願人：松下電工株式会社
• MIS型冷陰極電子放出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-147582   出願人：オリンパス光学工業株式会社