特許

J-GLOBAL ID：200903023496793760

カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 齋藤 弥八 ,  佐藤 英樹 ,  竹川 仁士
出願人/特許権者： 株式会社ウエキコーポレーション ,  株式会社サンズエンジニアリング ,  齋藤 弥八
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-060928
公開番号（公開出願番号）：特開2005-247639
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 本発明は、基板上に垂直配向したカーボンナノチューブを再現性よく、かつ効率よく、生成させることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、基板上に触媒金属の薄膜を形成し、これを1×10-4トール以下の減圧下で、600〜1000°Cに加熱する前処理を行ったのち、プラズマCVD法により、基板上にカーボンナノチューブを垂直配向させて成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上に触媒金属の薄膜を形成し、これを1×10-4トール以下の減圧下で、600〜1000°Cに加熱する前処理を行ったのち、プラズマCVD法により、基板上にカーボンナノチューブを垂直配向させて成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (17件)：

4G146AA11 ,  4G146AC03B ,  4G146BA12 ,  4G146BB06 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146DA03 ,  4G146DA33