特許
J-GLOBAL ID：200903023537299032
窒化物半導体基板およびそれを用いた窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012467
公開番号（公開出願番号）：WO2005-022620
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
SiO2膜(2)の表面にAlN多結晶3をスパッタリング法により堆積させ、マスクを形成する。次いで、このマスクを形成した上にSiドープn-GaN層5を形成する。その後、Siドープn型Al0.1Ga0.9N(シリコン濃度4×1017cm-3、厚さ1.2μm)からなるn型クラッド層(6)、Siドープn型GaNからなるn型光閉じ込め層(7)、In0.2Ga0.8N井戸層とSiドープIn0.05Ga0.95Nバリア層からなる多重量子井戸層(8)、Mgドープp型Al0.2Ga0.8Nからなるキャップ層(9)、Mgドープp型GaNからなるp型光閉じ込め層(10)、Mgドープp型Al0.1Ga0.9Nからなるp型クラッド層(11)、Mgドープp型GaNからなるp型コンタクト層(12)を順次成長させて、LD層構造を形成する。
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体基板と、
該III族窒化物半導体基板の上部に形成されたマスクと、
該マスクの上部に形成された半導体多層膜と、
を備え、
前記マスクの表面に多結晶材料が堆積していることを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/323 610
, H01L33/00 C
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA29
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC12
, 5F045AD10
, 5F045BB12
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045DA55
, 5F045DB01
, 5F173AA08
, 5F173AG14
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP20
, 5F173AR82
