特許

J-GLOBAL ID：200903045286170306

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

発明者： 小崎 徳也 ,  清久 裕之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-052573
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251253
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体基板の製造方法と、窒化物半導体基板を提供する。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、まず第1の窒化物半導体よりなる下地層を成長させ、その下地層の上に表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する第1の工程と、第1の工程後、有機金属気相成長法により、下地層から前記保護膜上部に至るまで、第2の窒化物半導体を成長させる第2の工程と、第2の工程後、ハイドライド気相成長法により、第2の窒化物半導体層の上に、その第2の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で第3の窒化物半導体を成長させる第3の工程とを具備することにより、窒化物半導体基板の結晶欠陥が成長途中で止まる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、まず第1の窒化物半導体よりなる下地層を成長させ、その下地層の上に表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する第1の工程と、第1の工程後、有機金属気相成長法により、下地層から前記保護膜上部に至るまで、第2の窒化物半導体を成長させる第2の工程と、第2の工程後、ハイドライド気相成長法により、第2の窒化物半導体層の上に、その第2の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で第3の窒化物半導体を成長させる第3の工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/02 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社