成膜方法及び成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿部英樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198583
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055768
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】導電性の表面を有する基板上にグラファイト系の薄膜を層状に形成する技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置1は、所定の反応ガスを導入可能に構成された真空槽2を有し、この真空槽2内に、所定の方向の交流電界を発生するように構成された電界発生手段6を備える。電界発生手段6は、矩形環状のコア60と、コア60に巻回されたコイル9とを有する。コイル9に対して高周波電力を印加することによって基板50に沿う方向の交流電界を発生させて基板50に印加する。

請求項（抜粋）：

真空中で化学気相反応によって成膜対象物に膜を形成する成膜方法であって、前記成膜対象物に対し、当該成膜対象物に沿って交流電界を印加することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , C01B 31/02 101 , B82B 3/00

FI (3件)：

C23C 16/44 A , C01B 31/02 101 F , B82B 3/00

Fターム (15件)：

4G046CA01 , 4G046CB01 , 4G046CB03 , 4G046EB13 , 4G046EC03 , 4G046GA01 , 4K030BA27 , 4K030BA28 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA14 , 4K030JA17 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030KA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-219218
特開平3-146673
プラズマ気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238529 出願人：日本電気株式会社

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