特許
J-GLOBAL ID：200903023580461366
薄膜赤外線センサ
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267682
公開番号（公開出願番号）：特開平9-089651
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 感度が良好で、しかも、膜が剥離したりせず、基板の加工の容易な薄膜赤外線センサを提供すること。【解決手段】 基板1の表面に強誘電体薄膜4を形成してなる薄膜赤外線センサSにおいて、前記基板1としてシリコン基板を用い、このシリコン基板1と前記強誘電体薄膜4との間に酸化アルミニウム薄膜2を形成している。
請求項（抜粋）：
基板の表面に強誘電体薄膜を形成してなる薄膜赤外線センサにおいて、前記基板としてシリコン基板を用い、このシリコン基板と前記強誘電体薄膜との間に酸化アルミニウム薄膜を形成したことを特徴とする薄膜赤外線センサ。
引用特許：
前のページに戻る
