特許

J-GLOBAL ID：200903023590530129

半導体レーザ装置

発明者： 船田 知之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005281
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189030
出願日： 2006年01月12日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】サブマウントに対する半導体レーザチップを精度よく位置決めすることなく、半導体レーザチップから出射されるレーザ光がサブマウントなどにより遮られないように半導体レーザチップをサブマウントに接合可能な半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】レーザ光を出射するレーザ光出射部15cを有する半導体レーザチップ15と、半導体レーザチップ15が接合されており、この半導体レーザチップ15との接合面から厚み方向に延びる溝部B1が設けられた側面13bを有するサブマウント13とを備え、レーザ光出射部15cが溝部B1上に位置するように半導体レーザチップ15がサブマウント13に接合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電気入力を受けて光信号を出力する半導体レーザ装置であって、 実装面と、該実装面と交わる側面に設けられたレーザ光の出射部とを有する半導体レーザチップと、 前記半導体レーザチップの実装面と接合されている接合面と、該接合面から延びる溝部を有する側面とを有するサブマウントと、 前記サブマウントが実装されるベース部と を備え、 前記出射部は、前記溝部上に位置している、ことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  G02B 6/42

FI (2件)：

H01S5/022 ,  G02B6/42

Fターム (26件)：

2H137AA05 ,  2H137AB04 ,  2H137AC02 ,  2H137BA01 ,  2H137BB01 ,  2H137BB25 ,  2H137BC02 ,  2H137CA13A ,  2H137CA34 ,  2H137CA73 ,  2H137CA77 ,  2H137CA78 ,  2H137CC01 ,  2H137CC05 ,  2H137CC08 ,  2H137CC10 ,  2H137CD19 ,  2H137DA39 ,  2H137DB13 ,  5F173MB05 ,  5F173MC24 ,  5F173MD04 ,  5F173ME23 ,  5F173ME63 ,  5F173ME76 ,  5F173MF39

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 実開平5-11470号公報
  
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-079318   出願人：三菱電機株式会社