液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武田元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242971
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106584
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】大画面化TFTアレイでも、容易にゲート電極の平坦化を行うことができるようにして後工程での段差部の断線をなくす。【構成】液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイのゲート電極2が半導体層5より下部に形成する際、ゲート絶縁体層4を形成する前に、ゲートパターンを施したレジストを残したまま、珪弗化水素酸をSiO2で過飽和状態にした溶液に浸漬させ、硼酸あるいはAlにより基板上にSiO2を析出させる。その後、レジストを剥離した基板を用いてTFTアレイの後工程を流し、ゲート絶縁体層4,半導体層5,保護絶縁体層6を成膜し、そして不純物半導体層7,画素電極8,ソース・ドレイン電極9を作成する。

請求項（抜粋）：

液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイのゲート電極が半導体層より下部に形成する際、ゲート絶縁体層を形成する前に、ゲートパターンを施したレジストを残したまま、珪弗化水素酸をSiO2で過飽和状態にした溶液に浸漬させ、硼酸あるいはAlにより基板上にSiO2を析出させ、ゲート電極を平坦化する工程を少なくとも有していることを特徴とする液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-181164
特開平4-139743
特開平3-021043

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