特許
J-GLOBAL ID：200903023619915734
薄膜太陽電池および該薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152762
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330614
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 有害物質を使用せずに高変換効率の薄膜太陽電池を得ること。【構成】 本発明の薄膜太陽電池1は、金属裏面電極3と、該金属裏面電極層上の光吸収層となるp形の第1の多元化合物半導体薄膜4と、窓層となるn形で、透明でかつ導電性を有する第2の金属酸化物半導体薄膜6と、前記薄膜4と薄膜6との間の界面に透明で高抵抗の第3のイオウ含有亜鉛混晶化合物半導体薄膜5を有する構造であり、裏面電極層3上に前記第1の半導体薄膜4を成長させ、該半導体薄膜4上に第3の半導体薄膜5を溶液から化学的に成長させ、更に、前記半導体薄膜5上に第2の半導体薄膜6を成長させることにより、製造される。
請求項（抜粋）：
金属裏面電極層と、当該裏面電極層上に設けられp形またはn形の導電形を有する第1の多元化合物半導体薄膜と、前記第1の多元化合物半導体薄膜上の第1の導電形と反対の導電形を有し禁制帯幅が広くかつ透明で導電性を有する第2の金属酸化物半導体薄膜と、前記第1の多元化合物半導体薄膜と第2の金属酸化物半導体薄膜の間の界面に設けられ透明で高抵抗を有する混晶化合物半導体薄膜を有する構造からなることを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 21/368 Z
