特許

J-GLOBAL ID：200903023646426753

スパッタリング装置、透明導電膜の製造方法

発明者： 浮島 禎之 ,  高澤 悟 ,  竹井 日出夫 ,  石橋 暁
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006313874
公開番号（公開出願番号）：WO2007-010798
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

抵抗値が小さく、透過率が高く、下層の有機EL膜にダメージを与えない透明導電膜を形成する。平行に間隔を開けて配置した第一、第二のターゲット21a、21bの隙間と、成膜対象物5の搬送経路14の間に遮蔽板31を設け、遮蔽板31に形成した放出孔32を通過したスパッタリング粒子を成膜対象物5に到達させる。斜めに入射するスパッタリング粒子が遮蔽板31によって遮蔽され、低比抵抗、高透過率の透明導電膜が形成される。

請求項（抜粋）：

真空槽と、 前記真空槽内を真空排気する真空排気系と、 前記真空槽内にスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、 前記真空槽内に表面が所定間隔を開けて配置された第一、第二のターゲットと、 成膜対象物の成膜面が前記第一、第二のターゲットで挟まれた空間に向いた状態で、前記成膜対象物が前記第一、第二のターゲットの側方位置を通過するように前記真空槽内の搬送経路に沿って搬送する搬送機構と、 前記第一、第二のターゲットと前記搬送経路の間に配置され、前記第一、第二のターゲットから放出され、前記搬送経路方向に飛行するスパッタリング粒子が通過する放出孔を有する遮蔽物とを有するスパッタリング装置。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/56 ,  H01B 13/00 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28

FI (6件)：

C23C14/34 D ,  C23C14/56 F ,  H01B13/00 503B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28

Fターム (23件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC45 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107FF15 ,  3K107GG05 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC40 ,  4K029DC46 ,  4K029KA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機EL素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074553   出願人：ティーディーケイ株式会社