特許
J-GLOBAL ID：200903023653946959

半導体装置及びその製造方法

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について

, 
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229708
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058536
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 酸素プラズマ処理等により上昇した層間絶縁膜の比誘電率を低下させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にSi-H結合又はSi-CH3結合を有する化学式で表される絶縁体を含有する層間絶縁膜8を形成する。その後、層間絶縁膜8上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを所定の形状にパターニングする。次いで、前記フォトレジストをマスクとして層間絶縁膜8をドライエッチングする。次に、前記フォトレジストを除去する。そして、水素ガスの体積を窒素ガスの体積の2乃至80%として、窒素ガス及び水素ガスを前記半導体基板が配置されたチャンバ内に導入し層間絶縁膜8を窒素プラズマ及び水素プラズマに曝す。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成された配線層と、この配線層を被覆する窒化膜と、この窒化膜上に形成され前記配線層まで達する開口部を有しSi-H結合又はSi-CH3結合を有する化学式で表される絶縁体を含有する層間絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/312 N ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 K
Fターム (42件)：
5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033BA13 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033CA09 ,  5F033DA05 ,  5F033DA06 ,  5F033DA15 ,  5F033DA35 ,  5F033DA36 ,  5F033EA03 ,  5F033EA05 ,  5F033EA06 ,  5F033EA12 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033FA03 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05
引用特許：
審査官引用 (1件)

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