特許
J-GLOBAL ID：200903023659278826
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024683
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223762
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 冗長ヒューズを基板中に埋設した半導体装置において、冗長ヒューズを埋設した領域上に、SOG膜を含む被覆層を除去することによって形成されるヒューズ開口の側面部に、SOG膜が露出した場合に生じる水分の侵入、及び、水分の侵入による配線等の断線等を防止する。【解決手段】 冗長ヒューズ12を覆う絶縁層上に形成される複数の配線の内、最上位に位置する配線22と同一の金属によって、ヒューズ開口の側面を覆う金属側面カバーを形成し、これにより、SOG膜18の露出を防止した半導体装置が得られる。更に、ヒューズ開口端部に、複数の配線の下部に位置する配線16の形成の際、同時的に、ダミー配線30を形成することにより、ダミー配線の内側に、SOG膜18を閉じ込める構造を取っても良い。
請求項（抜粋）：
冗長ヒューズを内在させた基板と、この基板を覆う吸水性を有するオーバーコート膜を含む被覆層と、冗長ヒューズに対応する被覆層部分に設けられた開口部とを備えると共に、開口部側面に、露出した前記オーバーコート膜を覆う導電側壁膜と、更に、当該導電側壁膜を覆うパッシベーション膜とを有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
H01L 21/82 F
, H01L 21/82 R
, H01L 21/88 Z
