特許
J-GLOBAL ID：200903023665255544
超格子半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128868
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330542
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 従来例に比較して簡単でかつ低価格に製造することができ、室温で安定に連続動作することができる超格子半導体発光素子を提供する。【解決手段】 2つの電極間11,12に、障壁層21と量子井戸層22,23とが交互に複数周期積層されてなる超格子構造を有する真性半導体i層15を備え、逆バイアス電圧が印加されなる。各量子井戸層22,23は、障壁層21を挟設し互いに対向する第1と第2の量子井戸層22,23を備え、第1の量子井戸層22中の電子の有効質量が第2の量子井戸層23のそれよりも高くなるように第1と第2の量子井戸層22,23の材料を選択して第1と第2の量子井戸層22,23中の自由電子の各移動度に差を生じさせて反転分布を実現し、第2の量子井戸層23の伝導帯中のエネルギーレベルのより高い準位に存在する電子を、第1の量子井戸層22の伝導帯中のエネルギーレベルのより低い準位に遷移させて発光を得る。
請求項（抜粋）：
2つの電極間に、障壁層と量子井戸層とが交互に複数周期積層されてなる超格子構造を有する真性半導体層を備え、逆バイアス電圧が印加されなる超格子半導体素子において、上記各量子井戸層は、上記障壁層を挟設し互いに対向する第1と第2の量子井戸層を備え、上記第1の量子井戸層中の電子の有効質量が、上記第2の量子井戸層の電子の有効質量よりも高くなるように、上記第1と第2の量子井戸層の材料を選択することにより、上記第1と第2の量子井戸層中の自由電子の各移動度に差を生じさせて反転分布を実現し、上記第2の量子井戸層の伝導帯中のエネルギーレベルのより高い準位に存在する電子を、上記第1の量子井戸層の伝導帯中のエネルギーレベルのより低い準位に遷移させることにより発光を得ることを特徴とする超格子半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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