特許

J-GLOBAL ID：200903023670078537

半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール

発明者： 愛清 武 ,  木村 俊雄
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176675
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358398
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザー素子から発生する熱の放熱性が高く、消費電力を抑制する。【解決手段】 半導体レーザー素子11を固定するステム14にはキャップ15と溶接接合する部位に溶接補助部材1を銀鑞付けにより固着形成する。その溶接補助部材1にキャップ15を溶接接合する。これにより、ステム14とキャップ15は溶接補助部材1を介して接合する。溶接性を考慮せずにステム14の構成材料を選択することができるので、熱伝導率が良い材料によりステム14を構成する。半導体レーザー素子11から発生した熱はステム14を介して外部に効率良く放出され、半導体レーザー素子11の発生熱の放熱性を向上させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザー素子を支持固定する支持部材と、該支持部材に溶接接合して上記支持部材と共に上記半導体レーザー素子を収容封止するための空間部を形成するキャップ部材とを有する半導体レーザー素子ユニットであって、上記支持部材には上記キャップ部材が溶接接合する部位に溶接補助部材が固着形成されており、上記支持部材と上記キャップ部材は溶接補助部材を介して溶接接合される構成と成し、上記支持部材は上記溶接補助部材よりも熱伝導率が良い材料によって形成されていることを特徴とした半導体レーザー素子ユニット。

IPC (6件)：

H01S 5/024 ,  G02B 6/42 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/38 ,  H01S 5/022

FI (7件)：

H01S 5/024 ,  G02B 6/42 ,  H01L 23/02 C ,  H01L 23/02 F ,  H01L 23/04 A ,  H01L 23/38 ,  H01S 5/022

Fターム (23件)：

2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  2H037DA06 ,  2H037DA16 ,  2H037DA36 ,  2H037DA38 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BA33 ,  5F036BB03 ,  5F036BF05 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073EA15 ,  5F073EA24 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA21 ,  5F073FA25 ,  5F073FA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-028282
  
• 気密端子用ステム及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-002075   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体レーザモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271852   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-028282